Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Name: Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки
Brand: Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,
SKU: Серия STCX
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

Все продукты

Автомат для резки лазера
(37)

Машина маркировки лазера
(27)

лазерный сварочный аппарат
(14)

Машина чистки лазера
(5)

лазеры
(72)

Оптика & кристаллы
(14)

Лазерные детали
(35)

Лазерный инструмент
(16)

Оставьте нам сообщение

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Большие изображения : Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Sintec Optronics
Номер модели:	Серия STCX

Оплата и доставка Условия:

Время доставки:	5-7days
Условия оплаты:	Т/Т через банк

контакт

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

описание

Выделить:

Высокомощный одноизлучающий лазерный диод

Лазерный диод с одним излучателем

Лазерный диод

Мощные диодные лазерные чипы с одним излучателем / линейки / массивы / стеки

(1) Мощные лазерные чипы с одним излучателем — серия BC

оптический
Центральная длина волны	нм	915	915	976	976
Допустимое отклонение длины волны	нм	±10	±10	±3	±3
Выходная мощность	Вт	25	30	25	30
Рабочий режим	#	CW	CW	CW	CW
Расхождение по быстрой оси	градус	55	55	55	55
Дивергенция по медленной оси	градус	9,5	9,5	9,5	9,5
Спектральная ширина (FWHM)	нм	4	4	4	4
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
ТЕ поляризация	%	97	97	97	97
Электрический
Ширина излучателя	мкм	195	230	195	230
Длина полости	мм	4,5	4,5	4,5	4,5
Ширина	мкм	400	400	400	400
Толщина	мкм	145	145	145	145
Геометрический
Эффективность электрооптического преобразования.	%	62	62	63	63
Эффективность наклона	Вт/Д	1,15	1,15	1.1	1.1
Терхольд Текущий	А	1,5	1,8	1.1	1,5
Рабочий ток	А	25	30	25	30
Рабочее напряжение	В	1,65	1,65	1,55	1,55

(2) Мощная диодная линейка — серия BB

оптический
Центральная длина волны	нм	808	808	808	808	940	940
Допустимое отклонение длины волны	нм	±10	±10	±10	±3	±3	±3
Выходная мощность	Вт	50	60	100	≥500	200	≥700
Расхождение по быстрой оси	градус	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Дивергенция по медленной оси	градус	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Спектральная ширина (FWHM)	нм	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	5
ТЕ поляризация	ТМ/ТЕ	ТЭ	ТЭ	ТЭ	ТЭ	ТЭ	ТЭ
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Эффективность наклона	Вт/Д	1,25	1,25	1,25	1,25	1	1,15
Пороговый ток	А	8	12	15	25	25	25
Рабочий ток	А	50	60	105	≤430	220	650
Рабочее напряжение	В	1,8	1,8	1,8	2.0	1,55	1,7
Ширина импульса	нас	-	-	-	200	-	500
Частота импульсов	Гц	-	-	-	400	-	160
Импульсный рабочий цикл	%	-	-	-	8	-	8
Геометрический
Количество излучателей	#	19	49	49	34	24	34
Ширина излучателя	мкм	150	100	100	232	200	232
Шаг эмиттера	мкм	500	200	200	290	400	290
Коэффициент заполнения	%	30	50	50	80	50	80
Длина полости	мм	1,0	1,0	1,5	1,5	3	2
Толщина стержня	мкм	145	145	145	115	115	115
Длина стержня	мм	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Термальный
Рабочая Температура	℃	25	25	25	25	20	25
Температура хранения	℃	40~80	-40~80	40~80	40~80	-40~80	40~80
Скорость потока	л/мин	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(3) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия TOF

оптический
Центральная длина волны @ Iop	нм	808	850	940	940
Спектральная ширина (полуширина)	нм	2	2	2	2
Сдвиг длины волны/температура	нм/℃	0,07	0,07	0,07	0,07
Апертура излучателя	мкм	10	10	10	10
Минимальный шаг излучателя	мкм	44	47	33	40
Номер эмиттера	/	621	1216	305	364
Выходная мощность	Вт	3.1	4	2.1	3.1
Рабочий ток	А	3,5	5	2,8	3,5
Потребляемая мощность	Вт	7	10	5.6	7
Рабочее напряжение	В	2	2	2	2
Операционная эффективность	%	35	40	40	40
Пороговый ток	А	0,7	1,2	0,38	0,47
Угол расхождения	°	22	22	20	20
Геометрический
Длина излучателя	мкм	916	1535	525	916
Ширина излучателя	мкм	901	1560	615	610
Длина чипа	мкм	1206	1845 г.	695	996
Ширина чипа	мкм	1006	1670	795	890
Толщина стружки	мкм	100	100	100	100

(4) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия SL

оптический
Центральная длина волны @ Iop	нм	934	940	946
Спектральная ширина (полуширина)	нм		2
Сдвиг длины волны/температура	нм/℃		0,07
Апертура излучателя	мкм		8
Минимальный шаг излучателя	мкм		21
Номер излучателя (область A)	-		377
Номер излучателя (зона B)	-		6
Выходная мощность (зона А)	Вт	1,3	1,5	1,7
Выходная мощность (зона B)	Вт		0,024
Мощность в одной точке	Вт		0,004
Рабочий ток (площадь А)	А		3,6
Рабочий ток (зона B)	А		0,06
Потребляемая мощность (зона А)	Вт		3,6
Потребляемая мощность (зона B)	Вт		0,06
Рабочее напряжение	В		2
Операционная эффективность	%		40	45
Пороговый ток (область A)	А		0,38
Пороговый ток (область B)	А		0,006
Угол расхождения	°		20
Геометрический
Длина светящейся зоны	мкм		523
Ширина светоизлучающей области	мкм		548
Длина чипа	мкм	758	778	798
Ширина чипа	мкм	701	721	741
Толщина стружки	мкм	90	100	110

(5) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия LI

оптический
Центральная длина волны	нм	905	940
Спектральная ширина (полуширина)	нм	2	2
Сдвиг длины волны/температура	нм/℃	0,07	0,07
Апертура излучателя	мкм	12	12
Минимальный шаг излучателя	мкм	22	22
Номер эмиттера	/	136	136
Выходная мощность	Вт	60	60
Рабочий ток	А	15	15
Потребляемая мощность	Вт	300	300
Рабочее напряжение	В	25	25
Операционная эффективность	%	20	20
Пороговый ток	А	0,2	0,2
Угол расхождения	°	20	20
Геометрический
Длина излучателя	мкм	273	273
Ширина излучателя	мкм	288	288
Длина чипа	мкм	520	520
Ширина чипа	мкм	401	401
Толщина стружки	мкм	100	100

(6) Мощный диодный лазер — серия COS

оптический
Центральная длина волны	нм	915	915	976	976
Допустимое отклонение длины волны	нм	±10	±10	±3	±3
Выходная мощность	Вт	25	30	25	30
Рабочий режим	#	CW	CW	CW	CW
Расхождение по быстрой оси	градус	55	55	55	55
Дивергенция по медленной оси	градус	9,5	9,5	9,5	9,5
Спектральная ширина (FWHM)	нм	4	4	4	4
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
ТЕ поляризация	%	97	97	97	97
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования	%	62	62	63	63
Эффективность наклона	Вт/Д	1,15	1,15	1.1	1.1
Терхольд Текущий	А	1,5	1,8	1.1	1,5
Рабочий ток	А	25	30	25	30
Рабочее напряжение	В	1,65	1,65	1,55	1,55
Геометрический
Ширина излучателя	мкм	195	230	195	230
Длина полости	мм	4,5	4,5	4,5	4,5
Ширина	мкм	400	400	400	400
Толщина	мкм	145	145	145	145

(7) Мощные диодные лазерные устройства – серия MCC

оптический
Центральная длина волны	нм	808	808	808	808	940	940
Допустимое отклонение длины волны	нм	±10	±10	±10	±10	±3	±3
Выходная мощность	Вт	50	60	100	≥500	200	200
Расхождение по быстрой оси	градус	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Дивергенция по медленной оси	градус	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Спектральная ширина (FWHM)	нм	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	≤3
Режим поляризации	ТМ/ТЕ					ТЭ	ТЭ
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Эффективность наклона	Вт/Д	1,25	1,25	1,25	1,25	1	1,15
Терхольд Текущий	А	8	12	15	25	25	25
Рабочий ток	А	50	60	105	≤430	220	650
Рабочее напряжение	В	1,8	1,8	1,8	2.0	1,55	1,7
Ширина импульса	нас	-	-	-	200	-	500
Частота импульсов	Гц	-	-	-	400	-	160
Импульсный рабочий цикл	%	-	-	-	8	-	8
Геометрический
Количество излучателей	#	19	49	49	34	24	34
Ширина излучателя	мкм	150	100	100	232	200	232
Шаг эмиттера	мкм	500	200	200	290	400	290
Коэффициент заполнения	%	30	50	50	80	50	80
Длина полости	мм	1,0	1,0	1,5	1,5	3	2
Толщина стержня	мкм	145	145	145	115	115	115
Длина стержня	мм	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Термальный
Рабочая темп.	℃	25	25	25	25	20	25
Температура хранения	℃	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80
Расход воды	л/мин	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(8) Блоки мощных диодных лазеров — серия MCP

оптический
Центральная длина волны	нм	808	808	808
Допустимое отклонение длины волны	нм	±10	±10	±3
Выходная мощность	Вт	60	100	300
Количество баров	#	2 ～ 60	2 ～ 60	2 ～ 60
Спектральная ширина (FWHM)	нм	≤8	≤8	4
Рабочий режим	#	CW	CW	QCW
Расхождение по быстрой оси	градус	≤42	≤42	40
Дивергенция по медленной оси	градус	≤10	≤10	10
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃	0,28	0,28	0,28
Электрический
Эффективность преобразования энергии	%	50	50	50
Эффективность наклона/бар	Вт/Д	≥1,1	≥1,1	1.1
Пороговый ток	А	4,5	4,5	4,5
Рабочий ток	А	0,16	0,16	290
Рабочее напряжение/бар	В	≤2	≤2	1,8
Термальный
Рабочая Температура	℃	15 ～ 35	15 ～ 35	25
Температура хранения	℃	0~55	0~55	0~55
Бар/Скорость воды/Бар	л/м	0,3~0,5	0,3~0,5	0,3
Входное максимальное давление	пси	55	55	55
Тип воды	-	деионизированная вода	деионизированная вода	деионизированная вода
Удельное сопротивление деионизированной воды (DI)	кОм·см	200~500	200~500	200~500
Частицы фильтра чистой воды	мкм	<20	<20	<20

(9) Блоки мощных диодных лазеров — серия QCP

оптический
Центральная длина волны	нм	808	808
Допустимое отклонение длины волны	Вт	±3	±10
Выходная мощность бара/бар	%	300	40
Количество баров	%	2 ～ 24	60
Общая выходная мощность	мкм	-	2400
Расстояние между стержнями	-	0,4 ～ 1,8	0,9
Спектральная ширина (FWHM)	-	4	8
Ширина импульса	м	50-500	10-100
Скорость повторения		1-200	1-10
Дивергенция по быстрой оси (FWHM)	нм	40	40
Дивергенция по медленной оси (FWHM)	мВт	10	10
Температурный коэффициент длины волны		0,28	0,28
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования	%	50	50
Эффективность наклона/бар	Вт/Д	1.1	1.1
Пороговый ток	А	20	10
Рабочий ток	А	300	50
Рабочее напряжение/бар	В	2	1,8
Термальный
Тип воды	-	Чистая вода	Чистая вода
Рабочая Температура	℃	25	25
Температура хранения	℃	-40-85	-40-85

(10) Мощные диодные лазерные устройства – серия TO

оптический
		Мин.	Типичный	Макс
Центральная длина волны	нм	820	830	840
Допустимое отклонение длины волны	нм		±10
Выходная мощность	Вт		1,0
Спектральная ширина (FWHM)	нм		3.0	4.0
Температурный коэффициент длины волны	нм/℃		0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования	%	36	42
Эффективность наклона	Вт/Д	1,05	1.1
Пороговый ток	А		0,38	0,45
Рабочий ток	А		1,28	1,40
Рабочее напряжение	В		1,8	2.2
Термальный
Рабочая Температура	℃	0	25	40
Температура хранения	℃		-20~70

Диодные чипы/стержни/стеки aser серии SBN

тег:

Контактное лицо: Steven

Телефон: +86 15671598018

Факс: 86-027-51858989

Другие продукты

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Высокомощный одноизлучающий лазерный диод

Лазерный диод с одним излучателем

Лазерный диод

Мощные диодные лазерные чипы с одним излучателем / линейки / массивы / стеки

(1) Мощные лазерные чипы с одним излучателем — серия BC

(2) Мощная диодная линейка — серия BB

(3) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия TOF

(4) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия SL

(5) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия LI

(6) Мощный диодный лазер — серия COS

(7) Мощные диодные лазерные устройства – серия MCC

(8) Блоки мощных диодных лазеров — серия MCP

(9) Блоки мощных диодных лазеров — серия QCP

(10) Мощные диодные лазерные устройства – серия TO

Диодные чипы/стержни/стеки aser серии SBN

Лазерный диод с оптоволоконным соединением,

Модуль лазерного диода с оптоволоконным соединением,